17 березня 2023 року відбулося чергове засідання наукового гуртка здобувачів вищої освіти “Актуальні проблеми електроніки та електроенергетики” кафедри гідротехнічного будівництва, водної та електричної інженерії факультету архітектури та будівництва. Відповідно до плану роботи, з доповіддю на тему «Дослідження впливу матеріалів омічних контактів на електричні параметри електронних приладів» виступив керівник наукового гуртка к.т.н., доцент Литвиненко В.М.

У своїй доповіді доповідач висвітлив наступні питання:

1. Аналіз конструкцій напівпровідникових приладів, які застосовуються в пристроях електроенергетики (потужні тиристори, транзистори, діоди, а також напівпровідникові інтегральні схеми).
2. Причини деградації зворотних характеристик напівпровідникових приладів з омічним контактом на основі алюмінію.
3. Причини деградації зворотних характеристик напівпровідникових приладів з омічним контактом на основі нікелю.
4. Розробка технологічних методів, направлених на запобігання деградації параметрів напівпровідникових приладів в технологічних процесах формування омічних контактів.

          Доповідач проаналізував причини деградації параметрів напівпровідникових приладів, пов′язані з впливом матеріалів омічних контактів. Основними з них являються: 1) структурні дефекти в активних областях приладів (дислокації, окислювальні дефекти упакування, точкові дефекти); 2) неякісна обробка поверхні структур напівпровідникових пластин перед осадженням металів, що формують омічні контакти; 3) використання для виготовлення омічних контактів заготівок нікелю та алюмінію низької якості, наприклад наявність в структурі металу неконтрольованих домішок.

          Також доповідач охарактеризував технологічні методи, використання яких дає можливість запобігти деградації параметрів напівпровідникових приладів в процесі формування омічних контактів на основі нікелю та алюмінію. Основними з них є: 1) використання методів гетерування структурних дефектів у напівпровіднику на впродовж всього технологічного маршруту виготовлення приладу; 2) проведення перед осадженням металів  обробки поверхні напівпровідникових структур, що поєднує в собі: а) фізичну очистку - видалення адсорбованих поверхнею забруднень шляхом їх розчинення; б) декілька стадій очистки поверхні напівпровідникових структур в хімічних реактивах та промивки водою.

У засіданні наукового гуртка та обговорені запропонованих питань прийняли активну участь здобувачі 1-4 курсів спеціальності 141 Електроенергетика, електротехніка та електромеханіка.

Автор: Литвиненко В.М. (20.03.23р.)