07 лютого 2023 року відбулося чергове засідання наукового гуртка здобувачів вищої освіти “Актуальні проблеми електроніки та електроенергетики” кафедри гідротехнічного будівництва, водної та електричної інженерії факультету архітектури та будівництва.

Відповідно до плану роботи, з доповіддю на тему «Проблеми технології  виготовлення сонячних батарей та шляхи її оптимізації» виступив керівник наукового гуртка к.т.н., доцент Литвиненко В.М.

У своїй доповіді доповідач висвітлив наступні питання:

1. Аналіз технологічного процесу виготовлення сонячних елементів на основі монокристалічного кремнію.
2. Причини низького коефіцієнта корисної дії фотоелектричних перетворювачів (ФЕП).
3. Підвищення ефективності кремнієвих ФЕП за рахунок оптимізації технологічних процесів їх виготовлення

• 3.1.Розробка дифузійних джерел бору і фосфору для отримання р⁺- n і n⁺- р структур сонячних елементів на кремнії.
• 3.2. Оптимизація процесу хімічного текстурування у технології кремнієвих ФЕП.

Проведені дослідження і розрахунки показали, що випробувані джерела бору і фосфору забезпечують отримання прийнятного розкиду значень глибини залягання p - n переходу по площі пластини (≤ 6%), що дозволяє використати їх у виробництві кремнієвих сонячних батарей. Застосування процесів дифузії, що проводяться в атмосфері повітря, є важливим чинником здешевлення технології отримання ФЕП.

У засіданні наукового гуртка та обговорені запропонованих питань прийняли активну участь здобувачі 1-4 курсів спеціальності 141 Електроенергетика, електротехніка та електромеханіка.

Хімічне текстурування поверхні кремнію р-типу, орієнтованій в кристалографічному напрямку (100), у водному розчині КОН дає можливість істотно зменшити її коефіцієнт відбиття. Оптимальним режимом травлення є температура травника 85ºС і час травлення 50 хв при концентрації КОН 10%.

Використання оптимізованих процесів дифузії фосфору для одержання n⁺- р структур сонячних елементів і текстурування поверхні сонячного елементу  дає можливість підвищити коефіцієнт корисної дії ФЕП на основі монокристалічного р-Si з 10 до 16%.

Автори: Литвиненко В.М. (07.02.23 року)